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此外，世源颇越来越多的研究工作开始涉及了使用XAS等需要使用同步辐射技术的表征，而抢占有限的同步辐射光源资源更显得尤为重要。密度泛函理论计算（DFT）利用DFT计算可以获得体系的能量变化，强渊从而用于计算材料从初态到末态所具有的能量的差值。

山东深本文由材料人专栏科技顾问罗博士供稿。在锂硫电池的研究中，世源颇利用原位TEM来观察材料的形貌和物相转变具有重要的实际意义。吸收光谱可以利用吸收峰的特性进行定性的分析和简单的物质结构分析，强渊此外还可以用于物质吸收的定量分析。

通过在充放电过程中小分子蒽醌与可溶性多硫化锂发生化学性吸附，山东深形成无法溶解于电解液的不溶性产物，山东深从而实现对活性物质流失的有效抑制，显著地增加了电池的寿命。因此能深入的研究材料中的反应机理，世源颇结合使用高难度的实验工作并使用原位表征等有力的技术手段来实时监测反应过程，世源颇同时加大力度做基础研究并全面解释反应机理是发表高水平文章的主要途径。

然而大部分研究论文仍然集中在使用常规的表征对材料进行分析，强渊一些机理很难被常规的表征设备所取得的数据所证明，强渊此外有深度的机理的研究还有待深入挖掘。

而目前的研究论文也越来越多地集中在纳米材料的研究上，山东深并使用球差TEM等超高分辨率的电镜来表征纳米级尺寸的材料，山东深通过高分辨率的电镜辅以EDX,EELS等元素分析的插件来分析测试，以此获得清晰的图像和数据并做分析处理。此外，世源颇Vg不仅可以调节基于GaSe的FET的传输特性，还可以调节基于GaSe的忆阻器中的VSET和VRESET，这表明可以应用在低功耗和复杂功能的多端子电子器件。

此外，强渊基于GaSe的忆阻器同时显示出长期保留（~104s）和高循环耐久性（~5000次循环）。山东深（b）Ag/GaSe/Ag忆阻器的50个实验开关回路。

其中，世源颇硒化镓（GaSe）是p型半导体，其间接带隙大约为2.0eV，直接带隙不小于25meV。强渊图三：基于GaSe的忆阻器一周后的电阻开关行为（a）2V工作电压下GaSe忆阻器的I-V特征曲线。